الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية CdS:20%In المحضرة بطريقة التبخير الثنائي
محتوى المقالة الرئيسي
الملخص
تم في هذا البحث تحضير أغشية CdS:Inبوساطة التبخير الثنائي في الفراغ بسمك(7500Ao) عند التركيزIn) 20 %) على ارضية زجاجية درجة حرارتها 100c0 وتمت دراسة خصائصها التركيبية والبصرية.
أظهرت النتائج ان جميع الاغشية متعددة التبلور وان التشويب بالانديوم أدى الى أرتفاع هذه القمم، كما ان التشويب أدى الى زيادة قيم معامل الامتصاص ومعامل الخمود وثابت العزل الخيالي وتناقص في قيم فجوة الطاقة ونقصان في قيم الانعكاسية ومعامل الانكسار وثابت العزل الكهربائي الحقيقي.
تفاصيل المقالة
هذا العمل مرخص بموجب Creative Commons Attribution 4.0 International License.
كيفية الاقتباس
المراجع
Lokhande ,C.D . and Pawar. S.H. 1982." optical and transport properties of chemical Bath deposited CdS:Al films",Solid State communications. 44 (8): 1137-1139.
Salwan, K.Al-Ani, Ismail,A. W. 2005."characterization of CdS:In/Si Hetero Junction solar cells" ,Iraqi Jof APPl Phys. 1( 2) : 13-17.
Ugwu,E.I. and Onah, D.U. 2007. "OpticalCharacteristicsof Chemical Bath Deposited CdS Thin Film Characteristics with in UV, Visible, and NIR Radiation", The Pacific Journal of Science and Technology. 8(1):155-161.
Ani, S.K.J.Al., Ismail, R.A. and Al-Taay. H.F. 2006."optoelectronic properties n:ICdS;In/p-si heterojunction Photo detecto', J. Mater sci. Mater Electron.17:819-824.
CRC Hand book of chemistry and physics Inc1979.59th edition, CRC, press.
Hogarth, C.A. and wright, L.A. 1968. "proceeding of Internationl conference of physics of Semiconductors", Moscow.pp 213.
Smith R.A.1990. "Semiconductors" , Cambridge,University Press 2nd ed. 1987.
Kenneth A. Jones. 1987. "Introduction to optical electronics", John Wiley and Sones, New York. pp 152-181.
Alias, M.F. 1998. "Optoelectronicstudy of a Se-Ge-Al a-Si-Ge-Al(As)". H Films, Ph.D. Thesis, University of Baghdad, Department of physics.
Ray, S. and Banerjee. R.1980. "Properties of Vacuum-Evaporated CdS Thin Films", Jap.J.APPl. Physics. 19(10): 1889-1895.
Kolhe ,S.and Takwale. M.G.1986. "Solar Energy Materials".13: 203-211.
Ramaigh ,K.S. and Sharon. R.M. 1998.J of Materials Science –Materials in Electronics. 9(4).
Ates,A., Yildirim, M. kundakci, M.A.and Yildrim. M. 2007. ".Invetstigation of Optical and Structural Properties of CdS Thin Films", Chinese J.Phys. 45(2-1):135-141.
Cook, R.K. and Christy. R. W. 1980."Optical Properties of Polycrystalline films",J. APPl. Phys. 51(1):160-165.
Mathur ,P.C., Sethi, B.R., and Sharma.O.P.1981."Electrontransporton n-type CdS single crystals annealed in Cd or In" .J.APPl.Phys. 52( 12): 7237.
المحضرة CdS و CdS: In صليوة. 1990. "دراسة الخواص الكهربائية والضوئية لاغشية غسان بطريقة الرش الكيميائي الحراري " رسالة مقدمة الى كلية العلوم / جامعة البصرة
Abss ,A.K. and AL-Eithan. F.Y.M. 1986. "photocurrent spectroscopy of solution –growth CdS films annealed in CdCL2 vapor"J.phys.Chem.Solids. 47( 10): 933.
Davila-Pintle, J.A. and Zelaya-Angel.O. 2006. "Electro-Optical Characterization of In-Situ Indium Doped CdS Thin Films by Chemical.
-CdS . ." تأثير التشعيع على الخواص البصرية لاغشبة .1998." جاكين هاري نجوان المحضرة بطريقة الرش الكيميائي الحراري "رسالة ماجستير الجامعة المستنصرية
Abdul Ghafor,W.A.S., Ali, S.A. and Flefil. S.S.1990. "In Fluence of Cu-Doped on some Optical properties of Sprayed CdS Thin Films" .J.Bas. Res.16:129-143.